Два гіганти пам’яті роблять ставку на високоякісні технології пам’яті.
Повідомляється, що провідні виробники мікросхем пам’яті Samsung Electronics і SK hynix змінюють свої стратегії, щоб зосередитися на високоцінних технологіях, таких як High Bandwidth Memory 4 (HBM4) і Compute Express Link (CXL). Цей крок викликаний зростаючою конкуренцією на ринку пам’яті, де китайські компанії розширюють свої виробничі можливості та застосовують агресивні стратегії ціноутворення, щоб захопити частку ринку.
Ринок пам’яті трансформується, оскільки штучний інтелект стає критичним рушієм технологічного прогресу. Традиційні підходи, які підкреслюють економічну ефективність і цінову конкуренцію в DRAM і NAND Flash, поступаються місцем новій парадигмі, зосередженій навколо високопродуктивних продуктів з високою доданою вартістю.
Стратегічний фокус Samsung і SK hynix на високоцінних технологіях став відповіддю на зростаючий тиск китайських конкурентів. Такі компанії, як Changxin Memory Technologies (CXMT), швидко розширюють свої виробничі потужності, виходячи на світовий ринок пам’яті. За даними дослідницької компанії Tech Insight, за останні чотири роки CXMT збільшила свої виробничі потужності DRAM майже в п’ять разів, забезпечивши собі 9% частки ринку та ставши четвертим у світі виробником пам’яті.
Це розширення підтримується значними інвестиціями Китаю в розробку технологій пам’яті, тенденція, яку ще більше посилює контроль США за експортом напівпровідників до Китаю. Ці заходи змусили китайські фірми нарощувати свої виробничі зусилля та вдосконалювати свої стратегії ціноутворення, створюючи жорстку конкуренцію для відомих гравців, таких як Samsung і SK hynix.
Щоб протистояти цьому конкурентному тиску, Samsung і SK hynix вдвічі використовують передові технології пам’яті, такі як HBM4 і CXL. Ці інновації забезпечують суттєве підвищення продуктивності та добре підходять для додатків, керованих штучним інтелектом, високих вимог до високої продуктивності.
Samsung нещодавно продемонструвала свої досягнення в технології CXL на Глобальному саміті OCP (Open Compute Project). Компанія планує масово виробляти 256 ГБ CMM-D, сумісну з протоколом CXL 2.0, до кінця 2024 року. CXL, технологія, призначена для підвищення ефективності та швидкості передачі даних між процесорами, графічними процесорами та пам’яттю, готова почати роботу. вирішальну роль у ШІ наступного покоління та обчислювальних навантаженнях.
Тим часом SK hynix підтвердила свою прихильність виробництву HBM4, плануючи розпочати масове виробництво в другій половині 2025 року, а потім запустити HBM4E у 2026 році. Компанія також вивчає потенціал технології гібридного склеювання, яка може забезпечити подальше підвищення продуктивності. Очікується, що ці високоякісні рішення пам’яті будуть мати преміальні ціни, що відрізнятиме Samsung і SK hynix від їхніх дешевших конкурентів.
Хоча перехід до високоцінних технологій відкриває можливості, він також створює певні виклики. Розробка передових рішень пам’яті, таких як HBM4 і CXL, вимагає значних інвестицій у дослідження та розробки. Складність цих технологій підвищує собівартість виробництва, що призводить до конкуренції не лише за частку ринку, а й за технологічне лідерство.